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三星推迟30万亿韩元的DRAM工厂计划

虽然三星电子宣布将投资延至明年一季度,但依然不能排除实际订单时间再一次被延迟的可能。主要考虑到针对韩国的日本政府出口限制正在不断扩大,日韩的摩擦或会变为长期化。
   7月25日业界消息,原计划今年底投产的平泽P2设备厂投资将延迟至明年一季度。尽管内存现货价格上周涨了23%,但是调研公司盖特纳的报告显示全球半导体市场今年会继续降温,产值只有4290亿美元,同比下滑9.6%,主力产品内存芯片价格已经跌了42%,供过于求的情况要持续到明年Q2季度。这样的趋势下一些厂商的投资也会随之调整,今年3月份的时候三星还表态不会因为市场不景气而缩减投资,结果不到4个月之后三星改变初心了,原计划今年底投产的平泽P2工厂推迟到了明年Q3到Q4季度。

三星推迟30万亿韩元的DRAM工厂计划
  P2是三星电子从去年初开始进行建设的新Memory Fab,建设之初目标为超越全球最大的平泽P1工厂。2017到2018年间,由于内存、闪存大涨价,三星花费30万亿韩元(约合254亿美元)在韩国平泽市建设了全球最大的存储芯片工厂,这是平泽P1工程,一层主要生产NAND闪存,二层主要生产DRAM内存,月产能分别是10万晶圆、20万晶圆。
 
  平泽P1工厂之后,三星还计划在今年底建成平泽P2工厂,为此三星获得了289万平方米的土地,相当于400个足球场那么大,当地电力公司为此建设了200兆瓦的电力设施。
 
  平泽P2工厂的投资额也是30万亿韩元,主要生产DRAM内存芯片,月产能也高达30万片晶圆,然而,半导体市况全无复苏迹象,原计划今年Q3季度开始安装设备,年底投产,不过韩媒报道称三星已经推迟了平泽P2工厂的投产计划,今年内只会维护必要设备,明年Q1季度才会装机。
 
  按照晶圆厂正常的步骤来说,装完设备调试还需要很多时间,平泽P2工厂真正量产内存芯片的时间要到明年Q3或者Q4季度了,比现在推迟了差不多一年。
 
  三星推迟如此巨额的投资项目,原因比较复杂,近期日本管制三种重要原材料出口也是个因素,三星如果不能获得稳定的光刻胶、氟化氢等材料,内存芯片生产是会受到影响的。
 
  其次就是全球的贸易纠纷,这也影响了全球经济,导致需求下滑。
 
  不过根本上来说,三星推迟平泽P2工厂投资计划还是现在的内存价格太低了,三星今年前两个季度的利润已经因为内存跌价大幅下滑50%,如今再投产这么大的内存工厂,产能过剩的问题只会愈加严重。
 
  半导体设备厂商认为,虽然三星电子宣布将投资延至明年一季度,但依然不能排除实际订单时间再一次被延迟的可能。主要考虑到针对韩国的日本政府出口限制正在不断扩大,日韩的摩擦或会变为长期化。
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