由于行动装置需求的快速增长及服务器、数据中心的大量建置，中国市场NANDFlash消耗量呈爆发式增长。
DRAMeXchange预估2017年中国市场所消耗的NAND Flash量将占全球30%以上，2020年将占全球逾40%，成为中国大力进军NANDFlash产业，积极建立上中下游完整的主要原因。
杨文得分析，3D-NAND Flash最晚将于2018年超越整体NAND Flash市场的一半，进一步推升固态硬盘存储应用的容量与市场规模，至2020年整体NANDFlash需求将维持每年40%的高增长率，中国巨大的市场发展潜力势必带动众多NANDFlash厂商投入，未来中国厂商的布局更加火热。
本届快闪高峰会中国厂商的动态可从存储制造、主控芯片与应用市场两大面向看出其强大的发展企图：
存储制造端：武汉新芯为目前中国NAND Flash制造端厂商中最具规模者，与国际大厂飞索半导体（Spansion）合作发展3D-NAND Flash，预计2018上半年量产第一世代的3D-NAND产品。今年七月武汉新芯正式与紫光集团成立长江存储科技公司，将有效整合中国在NAND Flash制造端发展能量。
杨文得表示，为拉近与国际存储大厂的距离，中国产学界代表也联合展示闪存FTL技术及复旦大学的RRAM商业化尝试，可见中国在闪存布局有长远规划。
主控芯片与应用市场：中国主控芯片厂如华澜微、忆恒创源与等一线大厂皆参与盛会，看准固态硬盘未来五年快速成长的商机，各厂正强化在固态硬盘整体存储设备及PCIe高速接口的研发能量。
此外，为实现建立自主产业链的目标，华澜微与华为等厂商也展示自主开发的IP与基础性结构研究。
杨文得进一步表示，近年来中国主控芯片业者以自主开发或并购等方式获取关键IP技术的进展速度加快，预期两年内将有更多NAND Flash主控芯片厂跨国合作与并购。
01月07日 18:14
